CKD Technology hat nicht nur brandneue Maschinen auf Lager, die sofort verfügbar sind.
Wir verfügen außerdem über ein detailliertes Mietgeschäft, das bereit ist, Ihre spezifischen Produktionsanforderungen zu erfüllen und gleichzeitig Ihre Anfangsinvestition deutlich zu senken. Kontaktieren Sie uns für weitere Details.
CKD verfügt über ein Team professioneller Ingenieure, die bereit sind, schlüsselfertige Dienstleistungen zu erbringen.
Für den Handel mit Gebrauchtmaschinen kontaktieren Sie uns bitte per Whatspp oder E-Mail.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Die MYS10iL-Serie ist ein vollautomatisches Inline-Plasmaverarbeitungssystem, das für Anwendungen in verschiedenen Branchen entwickelt wurde, darunter Halbleiter, Elektronik, SMT, Optoelektronik und Medizintechnik.
• Argon-Plasmasystem unter Atmosphärendruck
• 100 mm breite Inline-Batch-Plasmaverarbeitung; bietet eine 2–5-mal höhere Effizienz und über 30 % niedrigere Betriebskosten im Vergleich zu herkömmlichen Methoden
• 100 % neutrales Plasma; sicher und schonend für empfindliche elektronische Komponenten – kein Plasmabeschuss, statische Elektrizität, Funken, Lichtbögen, Staub, hohe Temperaturen, Oberflächenwellen oder UV-Strahlung
• Vielseitige chemische Verfahren: O2-Verfahren zur Entfernung organischer Verunreinigungen; H2-Verfahren zur Entfernung von Metalloxiden und Aktivierung von Produktoberflächen
• Erzeugt keine Partikel- oder Flüssigkeitsverunreinigung auf dem Produkt
| Grundparameter | MYS10iL |
| Leistungsanforderungen | Wechselstrom 200–240 V, 4,5 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Luftdruckanforderungen | 90 psi (6 bar) |
| Abmessungen | 1000 x 1500 x 1550 mm |
| Gewicht | 1050 kg |
| Zertifizierung | CE |
| Positionierungsgenauigkeit | XY: ±50 µm bei 3σ; Z: ±10µm bei 3σ |
| Wiederholbarkeit der XYZ-Achse | XY: ±25 µm bei 3σ; Z: ±5µm bei 3σ |
| Höchstgeschwindigkeit | 1000 mm/s (XY) |
| Beschleunigung | 1,0g |
| Antriebssystem | AC-Servo |
| Parameter der Arbeitsplattform | |
| Förderertyp | Gürtel |
| Tragfähigkeit des Förderers | 3kg |
| PCB-Dickenbereich (ohne Träger) | 0,5–6 mm |
| Z-Achsen-Reise | 60mm |
| Max. Komponentenhöhe (Oberseite) | 45mm |
| Max. Komponentenhöhe (Unterseite) | 23mm |
| Kommunikationsprotokoll | SMEMA |
| Arbeitsbereich | |
| Plasmabehandlungsbereich (B×T) | 550–760 mm |
| Wasserkontaktwinkel (WCA) nach Plasmabehandlung | WCA < 10° (Siliziumwafer) WCA < 20° (Nichtmetallische Materialien) |
| Plasmabehandlungsmethode | O2-Verfahren zur Entfernung organischer Verunreinigungen H2-Verfahren zur Metalloxidentfernung |
| Anforderungen an die Ausrüstung des Plasmasystems | |
| HF-Leistung | 600 W bei 27,12 MHz |
| Hauptplasmagas | Argon |
| Prozessgas | O2, N2 oder H2 |
| Druckbereich der Gasversorgung | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Adresse
5. Etage, Gebäude 2, Nr. 182, Chang'an Xi'an Road, Stadt Chang'an, Dongguan, Provinz Guangdong, China.
Tel
