CKD Technology hat nicht nur brandneue Maschinen auf Lager, die sofort verfügbar sind.
Wir verfügen außerdem über ein detailliertes Mietgeschäft, das bereit ist, Ihre spezifischen Produktionsanforderungen zu erfüllen und gleichzeitig Ihre Anfangsinvestition deutlich zu senken. Kontaktieren Sie uns für weitere Details.
CKD verfügt über ein Team professioneller Ingenieure, die bereit sind, schlüsselfertige Dienstleistungen zu erbringen.
Für den Handel mit Gebrauchtmaschinen kontaktieren Sie uns bitte per Whatspp oder E-Mail.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Das MYW10-Plasmasystem bietet einen hochflexiblen Wafer-Oberflächenbehandlungsprozess mit hohem Durchsatz.
• Argon-Plasmasystem unter Atmosphärendruck
• 100 mm breite Inline-Plasma-Batchverarbeitung; bietet eine 2–5-mal höhere Effizienz und über 30 % niedrigere Betriebskosten im Vergleich zu herkömmlichen Methoden
• 100 % neutrales Plasma; sicher und schonend für empfindliche elektronische Komponenten – kein Plasmabeschuss, statische Elektrizität, Funken, Lichtbögen, Staub, hohe Hitze, Oberflächenwellen oder UV-Strahlung, sodass das Produkt nicht beschädigt wird
• Vielseitige chemische Verfahren: O2-Verfahren zur Entfernung organischer Verunreinigungen; H2-Verfahren zur Entfernung von Metalloxiden und Aktivierung von Produktoberflächen
• Verursacht keine Partikelkontamination oder Veränderungen der Oberflächenrauheit auf dem Wafer
• Kompatibel sowohl mit der Wafer- als auch der Bandrahmenproduktion, was einen schnellen Wechsel zwischen beiden ermöglicht
• Erfüllt die Reinraum- und SEMI-Standards der Klasse 10
| Grundparameter | MYW10 |
| Leistungsanforderungen | Wechselstrom 380 V, 13 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Luftdruckanforderungen | 90 psi (6 bar) |
| Abmessungen | 2000 x 2800 x 2200 mm |
| Gewicht | 2200 kg |
| Zertifizierungsstandards | SEMI S2/S6/S8 |
| Positionierungsgenauigkeit | XY: ±20 µm bei 3σ; Z: ±10 µm bei 3σ |
| Wiederholbarkeit der XYZ-Achse | XY: ±10 µm bei 3σ; Z: ±5 µm bei 3σ |
| Höchstgeschwindigkeit | 1000 mm/s (XY) |
| Beschleunigung | 1,0g |
| Antriebssystem | AC-Servo |
| Spezifikationen der Arbeitsplattform | |
| Lade-/Entlademethode | OHT + Ladehafen + Roboterarm |
| Nutzlast des Roboterarms | 3 kg |
| Kompatible Wafergröße | 12 Zoll (300 mm) |
| Software-Betriebssystem | Windows 10 |
| X/Y-Reise | 400 mm / 500 mm |
| Z-Achsen-Reise | 20mm |
| Kommunikationsprotokoll | SECS/GEM |
| Betriebsbereich | |
| Plasmabehandlungsbereich (B×T) | 300×300mm |
| Wasserkontaktwinkel nach der Behandlung (WCA) | WCA < 10° (Siliziumwafer) |
| Plasmabehandlungsmethode | O2-Verfahren zur Entfernung organischer Verunreinigungen H2-Verfahren zur Metalloxidentfernung |
| Anforderungen an das Plasmasystem | |
| HF-Leistung | 600 W bei 27,12 MHz |
| Hauptplasmagas | Argon |
| Prozessgas | O2, N2 oder H2 |
| Druckbereich der Gasversorgung | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Adresse
5. Etage, Gebäude 2, Nr. 182, Chang'an Xi'an Road, Stadt Chang'an, Dongguan, Provinz Guangdong, China.
Tel
