Shenzhen CKD Technology Co., Ltd.
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MYS10SD
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MYS10SD

MYS-Serie – MYS10SD-Plasmasystem
Eine hocheffiziente, extrem niedrige Temperatur und kostengünstige Plasmaplattform
Mit dem rasanten Wachstum der Elektronikmontage- und Halbleitermärkte steigen die Anforderungen der Industrie an Produktionseffizienz und Zuverlässigkeit weiter. Durch den Wegfall der Wartezeiten, die mit der herkömmlichen Vakuum-Plasmaverarbeitung einhergehen, liefern die Reinigungssysteme der MYS-Serie einen deutlich höheren Durchsatz und verbesserte Gesamterträge und gewährleisten gleichzeitig die sichere Handhabung aller empfindlichen elektronischen Komponenten.

CKD Technology hat nicht nur brandneue Maschinen auf Lager, die sofort verfügbar sind.

Wir verfügen außerdem über ein detailliertes Mietgeschäft, das bereit ist, Ihre spezifischen Produktionsanforderungen zu erfüllen und gleichzeitig Ihre Anfangsinvestition deutlich zu senken. Kontaktieren Sie uns für weitere Details.

CKD verfügt über ein Team professioneller Ingenieure, die bereit sind, schlüsselfertige Dienstleistungen zu erbringen.

Für den Handel mit Gebrauchtmaschinen kontaktieren Sie uns bitte per Whatspp oder E-Mail.

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Produktmerkmale

Das MYS10SD ist ein vollautomatisches Inline-Plasmaverarbeitungssystem, das für Anwendungen in Bereichen wie Mini-LED, Elektronik, SMT, Optoelektronik und Medizintechnik entwickelt wurde.

• Großflächiges Argon-Plasmasystem mit Atmosphärendruck

• 100 mm breite Inline-Batch-Plasmaverarbeitung; bietet eine 2–5-mal höhere Effizienz und über 30 % niedrigere Betriebskosten im Vergleich zu herkömmlichen Methoden

• Die Oberflächentemperatur des Produkts bleibt während der Verarbeitung unter 45 °C

• Sofortiger Start ohne Aufwärmzeit, wodurch Produktionszeit gespart wird

• Kann ein breites Produktspektrum verarbeiten; unterstützt den flexiblen Wechsel zwischen Plasmaköpfen unterschiedlicher Größe

• Hochflexible, kompatible und kostengünstige Plasmaplattform

• Kann gezielt bestimmte Produktbereiche reinigen

MYS10SD

Spezifikationen

Grundlegende Spezifikationen MYS10SD
Leistungsanforderungen Wechselstrom 200–240 V, 3,2 kW, 15 A, 50 Hz
Luftdruckanforderungen 90 psi (6 bar)
Abmessungen 990*1300*1800mm
Gewicht 680kg
Zertifizierungsstandards CE
Positionierungsgenauigkeit XYZ: ±50 µm bei 3σ
Wiederholbarkeit der XYZ-Achse XYZ: ±25 µm bei 3σ
Höchstgeschwindigkeit 600 mm/s (XY)
Beschleunigung 0,6g
Antriebssystem AC-Servo
Spezifikationen der Arbeitsplattform
Förderertyp Gürtel
Tragfähigkeit des Förderers 3kg
Substratdickenbereich (ohne Träger)
0,5–10 mm
Z-Achsen-Verfahrweg 60 mm
Max. Bauteilhöhe (Oberseite) 100 mm
Max. Bauteilhöhe (Unterseite) 100 mm
Kommunikationsprotokoll SMEMA
Arbeitsbereich
Plasmabehandlungsbereich (B × T) 475–480 mm
Kontaktwinkel nach der Behandlung (WCA) WCA < 10° (Siliziumwafer)
WCA < 20° (nichtmetallisch)
Plasmabehandlungsmethode Ar+O2-Verfahren zur Entfernung organischer Verunreinigungen
Anforderungen an das Plasmasystem
HF-Leistung 250 W bei 13,56 MHz
Hauptplasmagas Argon
Prozessgas O2
Druckbereich der Gasversorgung 40–120 psi (0,3–0,8 MPa)







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